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型号 NDS356P
厂商 Fairchild Semiconductor
描述 MOSFET P-CH 20V 1.1A SSOT-3
NDS356P PDF
代理商 NDS356P
标准包装 1
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 1.1A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 210 毫欧 @ 1.3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 180pF @ 10V
功率 - 最大 460mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装 3-SSOT
包装 剪切带 (CT)
其它名称 NDS356PCT
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